ICP-Ätzanlage

• Subject Area: Condensed Matter Physics
• Term: Funded in 2010
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 179283563

„Die ICP-Ätzanlage ist für die Strukturierung nanoskaliger photonischer Bauelemente auf der Basis von III/V- und II/VI-Halbleitern zwingend notwendig. Das steilflankige Ätzen dieser Materialien erfordert den Einsatz von Ätzgasen auf Basis von Cl, Br und Methan. Die hohen Anforderungen an die Qualität der geätzten Strukturen (geringe Oberflächenrauhigkeit, geringe Schädigungen der Kristallstruktur), sowie häufig ein hohes Aspektverhältnis können nur mit einer Ätzanlage erfüllt werden, die mit einer induktiv gekoppelten Plasmaquelle ausgestattet ist. Weitere Anwendungen der Anlage bestehen im Bereich der Mikro- und Nanostrukturierung von Perovskitmaterialien.“

• DFG Programme: Major Research Instrumentation
• Instrumentation Group: 0910 Geräte für Ionenimplantation und Halbleiterdotierung
• Applicant Institution: Karlsruher Institut für Technologie (KIT) ; Campus Süd (aufgelöst)
• Leader: Professorin Dr. Dagmar Gerthsen