ICP-Ätzanlage

• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2010
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 179283563

„Die ICP-Ätzanlage ist für die Strukturierung nanoskaliger photonischer Bauelemente auf der Basis von III/V- und II/VI-Halbleitern zwingend notwendig. Das steilflankige Ätzen dieser Materialien erfordert den Einsatz von Ätzgasen auf Basis von Cl, Br und Methan. Die hohen Anforderungen an die Qualität der geätzten Strukturen (geringe Oberflächenrauhigkeit, geringe Schädigungen der Kristallstruktur), sowie häufig ein hohes Aspektverhältnis können nur mit einer Ätzanlage erfüllt werden, die mit einer induktiv gekoppelten Plasmaquelle ausgestattet ist. Weitere Anwendungen der Anlage bestehen im Bereich der Mikro- und Nanostrukturierung von Perovskitmaterialien.“

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Gerätegruppe: 0910 Geräte für Ionenimplantation und Halbleiterdotierung
• Antragstellende Institution: Karlsruher Institut für Technologie (KIT) ; Campus Süd (aufgelöst)
• Leiterin: Professorin Dr. Dagmar Gerthsen