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Senkrecht anisotrope magnetische Tunnelelemente

Fachliche Zuordnung Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 2011 bis 2018
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 188402195
 
Erstellungsjahr 2019

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Die im Projekt durchgeführten Arbeiten haben sich zunächst damit befasst, durch exchange bias stabilisierte Tunnelelemente herzustellen. Dies gelang mit mehreren Schichtsystemen, wobei wir für die weiteren Arbeiten Ta/Pd/IrMn/CoFe/Ru/CoFeB als Referenzschichtsystem ausgewählt haben. Im Verlauf des Projekts machten wir dann die überraschende Entdeckung, dass die sehr kleinen Ströme, die für das Spin-Torque Schalten gefunden wurden, ihre Ursache im Superparamagnetismus der sehr dünnen CoFeB-Elektrode haben. Dies konnten wir einerseits in eine Patentanmeldung für einen echten Zufallszahlengenerator einfließen lassen und andererseits für die im Projekt gesteckten Ziele nutzen: Im Rahmen der Projektarbeiten ist es gelungen, das superparamagnetische Verhalten der oberen CoFeB-Elektrode in den magnetischen CoFeB/MgO/CoFeB Tunnelkontakten mit senkrechter magnetischer Anisotropie zeitaufgelöst zu untersuchen und das thermisch aktivierte Schalten der Magnetisierung in Bezug auf Probentemperatur und die angelegten magnetischen und elektrischen Felder zu charakterisieren. Die Blocking Temperatur, ab der der Superparamagnetismus bei gegebener Messdauer einsetzt, erwies sich dabei als spezifisch für das System. Zudem wurde gefunden, dass die superparamagnetische unstrukturierte Schicht in Domänen zerfällt, während TMR-Zellen unter einem Durchmesser von 200nm eindomäniges Verhalten zeigen. Damit kann die Domänengröße zu etwa 200nm abgeschätzt werden. Für die durch die Anisotropie verursachte Energiebarrieren ΔE ergeben sich dann für Elemente mit 140nm Durchmesser Werte zwischen 1.3eV und 2 eV. Die Anisotropiekonstante K konnte mit einigen 10 kJ/m³ bestimmte werden. Dabei stimmt die Energiebarriere eindeutig nicht mit dem einfachen Ansatz ΔE=K∙V überein (V: Volumen der Elektrode) überein, was offenbar auf entropische Effekte zurückzuführen ist. Die Änderung der Entropie, die sich über die Anzahl der Wege über die Energiebarriere W auswirkt, scheint für das System eine große Rolle zu spielen. Dies wurde als Indiz für eine granulare Struktur der sehr dünnen Elektrodenschicht gewertet, die einen signifikanten Einfluss auf die Ursachen des Superparamagnetismus in diesem System hat. Die Untersuchung des Einflusses der Biasspannung VB hat gezeigt, dass die magnetischen Eigenschaften auch mit kleinen Spannungen deutlich beeinflusst werden können. Während bei sehr dünnen Barrieren unter ca. 1.2 nm Dicke der Spin-Torque der dominierende Effekt ist, überwiegen bei dickeren Barrieren die Änderung der Anisotropiekonstante durch das elektrische Feld an den Grenzflächen zwischen Elektroden und Barriere. Dabei ergibt sich aus den Messungen für den parallelen Zustand β=ΔK(VB)∙tMgO zu ca. -35 fJ/(Vm) was mit anderen Messungen an diesem Schichtsystem übereinstimmt.

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

 
 

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