Plasmaätzanlage mit ICP-Anregung

• Fachliche Zuordnung: Elektrotechnik und Informationstechnik
• Förderung: Förderung in 2010
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 189565089

„Die Ätz- und Abscheideanlagen des Walter Schottky Instituts (WSI) wurden bei Institutsgründung Ende der 1980er Jahre erworben und durch sorgfältige Pflege und Wartung bis heute weitgehend einsatzbereit gehalten. Mit ihnen sind nach wie vor beachtliche Resultate möglich, jedoch nehmen alterungsbedingte Ausfälle in den letzten Jahren stark zu, was insbesondere aufgrund nicht mehr verfügbaren Hersteller-Supports zu teilweise inakzeptablen Ausfall- und Rüstzeiten führt und das Risiko des Totalausfalls birgt. Hinzu kommen konstruktionsbedingte Defizite, weshalb unsere über 20 Jahre alten Geräte für unsere aktuellen und geplanten Forschungsprojekte - vor allem im Bereich der Nanotechnologie - nicht mehr geeignet und im Vergleich zu modernen Anlagen nicht mehr konkurrenzfähig sind. Die Hauptprobleme wie unzureichende Homogenität der Ätztiefen, zu geringe Ätzraten bei unzureichender lateraler Strukturtreue sowie starke Unterätzung werden mit der geplanten Neubeschaffung aufgrund modernerer Konstruktion und besserer Ausstattung (u.a. Temperaturkontrolle) umfassend gelöst. Zusätzlich soll durch die Beschaffung umfangreicher in-situ-Diagnostik und die Kooperation mit Herrn Prof. Franz von der Hochschule München ein für unser Institut neues Forschungsgebiet nämlich die detaillierte Untersuchung von Plasmaprozessen eröffnet werden.“

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Gerätegruppe: 0910 Geräte für Ionenimplantation und Halbleiterdotierung
• Antragstellende Institution: Technische Universität München (TUM)
• Leiter: Professor Dr.-Ing. Markus-Christian Amann (†)