Nanoskalige OFETs für die Anwendung in Schaltkreisen

• Antragstellerinnen / Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Joachim N. Burghartz; Dr. Hagen Klauk; Privatdozentin Dr.-Ing. Susanne Scheinert
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2011 bis 2015
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 195610266

Anliegen des Projektes ist die Optimierung nanoskaliger, organischer Feldeffekttransistoren (OFET) für die Anwendung in darauf ausgelegten Schaltungen, die ebenfalls im Rahmen des Projektes entworfen werden. Schwerpunkte der experimentellen Arbeiten zu Kurzkanal-OFETs werden die Herstellung eines dünnen Gateisolators und die Optimierung der Kanallänge und der Überlappung des Source- bzw. Drain- zu Gatekontaktes sein. Für das Aufdampfen der Source/Drain-Kontakte werden hoch-auflösende Sencil-Masken entworfen und hergestellt. Die theoretischen Arbeiten zu den Transistoren umfassen hauptsächlich numerische Simulationen mit dem Ziel der Untersuchung und Unterdrückung von Kurzkanaleffekten und des Entwurfs eines optimalen Designs mit optimierter Gestaltung der Kontaktüberlappung. Einen weiteren Schwerpunkt des Projektes stellen die Arbeiten zum Schaltungsentwurf mit nanoskaligen OFETs dar. Vorgesehen sind Digital-Analog (DAC) und Analog-Digital (ADC) Wandler, da diese besonders hohen Ansprüche an die Parameterstreuungen der OFETs stellen. Außerdem werden Ringoszillatoren zur Charakterisierung des Frequenzverhaltens der Bauelemente realisiert. Für den Schaltungsentwurf wird im Rahmen des Projektes ein OFET-SPICE-Modell entwickelt.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen