Korrelation zwischen atomarer Struktur und elektronischen Zuständen in resistiv schaltenden Oxiden (A02)

• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2011 bis 2023
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 167917811

Projekt A2 zielt auf die Aufklärung und Quantifizierung räumlicher Veränderungen der elektronischen und atomaren Struktur während der VC-Schaltung ab, um die mikroskopischen Schalt- und Ausfallmechanismen in speziellen binären und ternäre Oxidzellen zu bestimmen. Basierend auf diesem Wissen werden wir Strategien entwickeln, um die Zuverlässigkeit von VCM-Zellen durch rationelles Materialdesign und den Einsatz maßgeschneiderter Prozessbedingungen zu verbessern. Durch die Entwicklung von Zellen mit unterschiedlichen Schaltmodi, die in der zweiten SFB-Periode identifiziert wurden (8W, C8W, filamentär, flächenabhängig), wollen wir die limitierenden Kompromisse der heutigen filamentären Speicherzellen überwinden. 

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"
• Antragstellende Institution: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter: Professorin Dr. Regina Dittmann; Professor Dr.-Ing. Rainer Waser