Untersuchung der elektromagnetischen Nahfeld-Störbeeinflussung auf Leiterplatten- und IC-Ebene

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Marco Leone
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2011 bis 2017
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 203228795

Moderne elektronische Systeme wie in der Energie-, Automobil- und Medizintechnik müssen bei enger Nachbarschaft ihrer unterschiedlichen Komponenten zuverlässig funktionieren. Die etablierten Störfestigkeitsprüfverfahren gehen von Fernfeldbedingungen aus, so dass eine Übertragung der Ergebnisse auf Nahbereichswechselwirkungen nicht direkt möglich ist. Die relevanten Koppelpfade und Schaltungsteile sind zudem nicht immer offenkundig und in hohem Maße von der Systemumgebung abhängig. Außerdem ist es nicht immer möglich, Tests mit Fernfeldabständen zwischen Sendeantenne und Prüfling durchzuführen. Im Forschungsvorhaben soll deshalb auf der Basis eines physikalischen Modells der Einkoppelvorgang unter verschiedenen Nahfeldbedingungen eingehend untersucht werden, um zentrale Fragen, wie die Korrelation zur Fernfeldbeeinflussung zu klären. Daraus sollen die theoretischen Grundlagen für ein Nahfeld-Störfestigkeitsprüfverfahren erarbeitet und ihre praktische Umsetzung erprobt werden. Möglichkeiten der Optimierung der Antennengeometrie, sowie der Kalibrierung des Messsystems bei unterschiedlichen Betriebsarten mit schmalbandigen oder breitbandigen, impulshaften Störsignalen sollen praktisch getestet werden. Als Ergebnis sollen die Möglichkeiten und Grenzen von Nahfeld-Prüfverfahren in Ergänzung zu etablierten Methoden aufgezeigt werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen