Nitrid-basierte Laserdioden im fernen UV (C09)

• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2012 bis 2019
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 43659573

Das Ziel des Projekts C9 ist es AlGaN-Vielfachquantentopf-Injektionslaserdioden im ultravioletten Spektralbereich unterhalb von 280 nm zu verwirklichen. Die Projektaktivitäten konzentrieren sich auf Schlüsselherausforderungen wie die effiziente Ladungsträgerinjektion, Wellenleiter mit niedrigen Absorptionsverlusten sowie Strukturen mit starkem lateralem optischem und elektrischem Confinement. In der 3. Phase des CRC sollen folgende neuartige Ansätze untersucht werden: (1) Vergrabene Heterostruktur-Laserdioden mit AlN- oder InAlN-Stromaperturen und optischem Confinement, (2) Tunnelübergänge für eine effiziente Lochinjektion in die aktive Zone (3), die Entwicklung von lateralen 2D-Lochinjektionsschichten in Kombination mit verlustarmen dielektrischen oberen Mantelschichten sowie (4) das Wachstum und die Herstellung von defektarmen AlGaN-basierten Laserdioden mit Fokus auf die Optimierung des optischen Verstärkungsprofils und des transversalen Moden-Confinement.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 787: Halbleiter - Nanophotonik: Materialien, Modelle, Bauelemente
• Großgeräte: Array detector for X--ray diffractometer
• Gerätegruppe: 4050 Meßelektronik und Zubehör für Röntgengeräte
• Antragstellende Institution: Technische Universität Berlin
• Mitantragstellende Institution: Ferdinand-Braun-Institut gGmbH; Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Michael Kneissl; Professor Dr. Günter Tränkle; Dr. Tim Wernicke, seit 1/2016