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Elektrische Modellbildung, Charakterisierung und Entwurf von Silizium Durchkontaktierungen für Anwendungen in integrierten Systemen

Subject Area Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
Term from 2012 to 2016
Project identifier Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 220562460
 
Final Report Year 2016

Final Report Abstract

Im Rahmen dieses Projektes wurden elektrische Durchkontaktierungen in Silizium-Substraten (Through Silicon Vias, TSVs) sowohl mit neu entwickelten Simulationsmethoden als auch mit Hochfrequenzmessungen elektromagnetisch charakterisiert. Als Grundlage dafür wurden umfangreiche Materialcharakterisierungen sowohl des Siliziums-Substrats selbst als auch der Passivierungsschichten vorgenommen. Die komplementären Modellierungsansätze wurden jeweils validiert und eine hohe numerische Effizienz und die Verwendbarkeit auch für große Arrays gezeigt, für einen großen Bereich der Frequenz, der Material- und der Geometrieparameter. Mit der Durchführung diese Projektes konnten Erkenntnisse gewonnen werden hinsichtlich der für die Verwendung der Physik-basierten Via-Modellierungsmethoden notwendigen Anpassungen für TSVs sowie der hinsichtlich der Abgrenzung der zwei vorgeschlagenen, komplementären Modellierungsansätze. Weiterhin wurden in ihrem Umfang ganz neue Ergebnisse in Bezug auf das Übersprechen in großen Via-Anordnungen (Arrays) produziert und wertvolle Erfahrungen in Bezug auf Herstellung und messtechnische Charakterisierung von TSV-Teststrukturen gesammelt. In zukünftigen Untersuchungen sollten weitere messtechnische Validierungen werden, die die elektromagnetischen Umgebungen der TSV-Anordnungen berücksichtigen, und eine noch genauere Eingrenzung der Anwendbarkeit der in diesem Projekt entwickelten Modellierungsansätze vorgenommen werden. Darauf basierend könnten dann konkrete Entwürfe für Anwendungen wie beispielsweise TSV-Verbindungen für digitale Signale hoher Datenraten geschehen.

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