Magnetron-Sputteranlage

• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2013
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 232055202

„Die Magnetron-Sputteranlage dient zur Herstellung vielfältiger Dünnschichten zur Verwendung in Halbleiter- Bauelementen. Von besonderer Wichtigkeit ist die Möglichkeit, durch breite Wahl der Züchtungsparameter (u.a. Substrattemperatur, Targetmaterial, Co-Sputtern, DC-, RF- und gepulstes DC-Sputtern) ein breites Spektrum von Materialien und deren Eigenschaften zu erzielen. So sollen z.B. dielektrische Isolations- bzw. Passivierungsschichten (z.B. AI2O3, ZrO2, Hf02, SiO2, SiNx, Ti02), halbleitende amorphe Oxide (z.B. In-Ga- Zn-O, ln-Zn-0, ZnO) und leitfähige Metalle (z.B. Au, Ag, Pt, Pd, Ti) oder metallisch leitende Metalloxide (z.B. In- Sn-O, Al-Zn-O) dargestellt werden. Diese Materialien und darauf basierende Bauelemente (Transistoren, Dioden, Detektoren) stehen im Mittelpunkt der Forschungsaktivitäten der Abteilung Halbleiterphysik und werden im Rahmen verschiedener Forschungsprojekte untersucht. Nur durch die hochqualitative Herstellung dieser Materialien und der vielfältigen Möglichkeit, deren Eigenschaften genau einstellen zu können, sind ein umfassendes Verständnis dieser Strukturen und eine Anwendung in Bauelementen möglich. Das Gerät wird weiteren Arbeitsgruppen an der Universität und zu Lehrzwecken im Rahmen des Halbleiterpraktikums zur Verfügung stehen.“

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Gerätegruppe: 8330 Vakuumbedampfungsanlagen und -präparieranlagen für Elektronenmikroskopie
• Antragstellende Institution: Universität Leipzig
• Leiter: Professor Dr. Marius Grundmann