Reaktives Ionenätzgerät mit induktiv gekoppelter Plasmaquelle

• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2013
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 232442301

„Die ICP-RIE Anlage wird für das stark anisotrope Ätzen von monokristallinen Siliziumwafern zur Herstellung von Mikro-und Nanostrukturen benötigt. Dabei sind zwei verschiedene Prozesse erforderlich: Der Bosch-Prozess dient dem stark anisotropen Ätzen von sehr tiefen Strukturen in Silizium mit nahezu senkrechten Seitenwänden (oder wie im Fall von scharfen Spitzen für die AFM-Sensorik mit in Grenzen einstellbarem Böschungswinkel). Dies ist ein Standardprozess in der Mikrosystemtechnik, die der Antragsteller routinemäßig für die Herstellung von Cantilever-Sensoren, Mikroresonatoren und anderen Mikrostrukturen einsetzen möchte. Hier weist allerdings die Seitenwand eine rippenförmige Struktur auf, die in vielen Fällen keine Auswirkung besitzt. Allerdings möchte der Antragsteller und der weitere Nutzer z.B. Strukturen (Wellenleiter, Cavity etc.) für die optische Mikrosystemtechnik herstellen können, die eine nur sehr geringe Oberflächenrauheit aufweisen dürfen, da man die Streuung ausschalten muss. Diese Strukturen sind üblicher Weise weniger tief zu ätzen. Hier setzt das Kryogene Trockenätzen an: der Ätzprozess wird in einem kontinuierlichen Prozess durchgeführt: die Seitenwände bleiben glatt. Voraussetzung ist jedoch, dass Kontaminationen vermieden werden.“

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Gerätegruppe: 0930 Spezialgeräte der Halbleiterprozeßtechnik
• Antragstellende Institution: Rheinland-Pfälzische Technische Universität Kaiserslautern-Landau
• Leiter: Professor Dr. Egbert Oesterschulze