Thermal Assessment of AlInN/GaN High Electron Mobility Transistors
Experimental Condensed Matter Physics
Final Report Abstract
Die thermischen Eigenschaften von AlInN/GaN Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit wurden an der Universität Bristol mittels Raman-Thermographie untersucht. Es zeigten sich mit dem vorhandenen Probenmaterial keine nennenswerten Änderungen zum Verhalten herkömmlicher AlGaN/GaN Transistoren, jedoch konnte im Rahmen einer vertiefenden elektro-optischen Charakterisierung nachgewiesen werden, dass die AlInN/GaN Transistoren elektrisch aktive und damit bauelementrelevante Defektzustände besitzen, die je sowohl als Donator als auch als Akzeptor wirken können, abhängig von der Vorgeschichte, welche im Rahmen des Projekts durch Beleuchtung einer bestimmten Wellenlänge kontrolliert wurde. Die zugehörigen Defekte konnten mit hoher Wahrscheinlichkeit als strukturelle Defekte identifiziert werden, die durch Beleuchtung umgeladen werden können. Solche Defekte treten prinzipiell in allen, auch in kommerziellen, Nitrid-Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit auf. Das spezifische Ergebnis dieses Projekts ist es, eine Messmethode für deren Charakterisierung und eventuell Quantifizierung vorzustellen und eine erste vorläufige Systematik der zugehörigen Defekte vorzuschlagen.
