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Technologie und Untersuchungen der topologisch kristallinen Isolatoren (A05)
Fachliche Zuordnung
Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Förderung
Förderung von 2015 bis 2023
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 258499086
Das MBE-Wachstum von (Pb,Sn)(Te,Se) TCI-Schichten wird fortgesetzt und konzentriert auf qua-ternäre Verbindungen, dünne Vielschichtstrukturen und magnetische Dotierung. Die MBE-Parameter, Gegendotierung und pn-Heteroepitaxie werden optimiert hinsichtlich isolierender oder n-dotierter Volumeneigenschaften. Die Kristallsymmetrie, die die 4 TCI-Oberflächenzustände schützt, wird kontrolliert über die Orientierung, Dicke und Verspannung der Schichten. Die struktu-relle Symmetrie, Defekte und der Magnetismus sowie deren Einfluss auf die TCI-Oberflächenzustände der Strukturen werden mit XRD, EDX, TEM, SQUID, ARPES, STM, STS und Magnetotransportuntersuchungen analysiert.
DFG-Verfahren
Sonderforschungsbereiche
Teilprojekt zu
SFB 1170:
Topologische und korrelierte Elektronik in Ober- und Grenzflächen ("ToCoTronics")
Antragstellende Institution
Julius-Maximilians-Universität Würzburg
Teilprojektleiter
Professor Dr. Karl Brunner