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Struktur und und elektronische Zustandsdichte an Grenzflächen organischer Halbleiter

Fachliche Zuordnung Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 2015 bis 2022
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 283296803
 
Erstellungsjahr 2022

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Die wesentlichen Ziele des Projekts wurden erreicht und insbesondere der Zusammenhang zwischen strukturellen und elektronischen Defekten wurde für eine Reihe unterschiedlicher molekularer Halbleiter quantitativ nachgewiesen. Die Röntgenmessungen wurden an verschiedenen Synchrotron Einrichtungen (Diamond Light Source, UK und ESRF, Frankreich) durchgeführt und ultra-low-background UPS in den Laboren von Prof. Satoshi Kera (Institute of Molecular Science, Okazaki, Japan) und Prof Steffen Duhm (Soochow University, Suzhou, China). Durch diese Kombination von hervorragenden experimentellen Daten wurden sowohl der Einfluss struktureller Defekte auf die elektronische Struktur für Einzelschichten auf einem Substrat untersucht als auch der Einfluss auf das Angleichen der Energieniveaus einer molekularen Heterostruktur. Letzterer Effekt wurde durch dickenabhängige Messungen sehr genau dargestellt. Diese Resultate bilden die Grundlage für ein verbessertes quantitatives Verständnis der Energieniveaus molekularer Halbleiterschichten.

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

  • Structure-dependent charge transfer in molecular perylene-based donor/acceptor systems and role of side chains. J. Phys. Chem. C 124 (2020) 11639
    V. Belova, A. Hinderhofer, C. Zeiser, T. Storzer, J. Rozboril, J. Hagenlocher, J. Novak, A. Gerlach, R. Scholz, and F. Schreiber
    (Siehe online unter https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.0c00230)
  • Non-equilibrium Roughness Evolution of Small Molecule Mixed Films Reflecting Equilibrium Phase Behavior
    A. Hinderhofer, Jan Hagenlocher, Alexander Gerlach, Joachim Krug, Martin Oettel, Frank Schreiber
    (Siehe online unter https://doi.org/10.48550/arXiv.2103.04754)
  • On the origin of gap states in molecular semiconductors - A combined UPS, AFM and X-ray diffraction study. J. Phys. Chem. C. 125 (2021) 17929
    J. Hagenlocher, N. Scheffczyk, K. Broch, G. Duva, N. Russegger, L. Egenberger, R. Banerjee, S. Kera, F. Schreiber, and A. Hinderhofer
    (Siehe online unter https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.1c03096)
  • Thickness-dependent energy-level alignment at the organic-organic interface induced by templated gap states. Adv. Mater. Interfaces 9 (2021) 2101382
    J. Hagenlocher, K. Broch, M. Zwadlo, D. Lepple, J. Rawle, F. Carla, S. Kera, F. Schreiber, and A. Hinderhofer
    (Siehe online unter https://doi.org/10.1002/admi.202101382)
  • „Structure and Electronic Gap State Density at Organic Semiconductor Interfaces“, Dissertation, Tübingen 2021
    Jan Hagenlocher
 
 

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