Elektronische Eigenschaften von Grenzflächen für die organische Spintronik

• Antragsteller: Professor Dr. Martin Knupfer
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2006 bis 2010
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 29692203

Dieses Vorhaben hat das Ziel, eine erste, umfassende experimentelle Charakterisierung von Grenzflächen zwischen organischen Halbleitern und Metallen mit hoher Spinpolarisation der Ladungsträger durchzuführen. Dies geschieht im Hinblick auf den Einsatz organischer Halbleiter in organischen Spintronik-Bauelementen. In jüngster Zeit wurde gezeigt, dass mit organischen Halbleitern solche Bauelemente prinzipiell möglich sind, wobei über die elektronischen Eigenschaften der Grenzflächen in den verschiedenen Bauelementen kaum etwas bekannt ist, obwohl diese die Funktion eines jeden Bauelements entscheidend beeinflussen. Dieses Vorhaben umfasst daher die Bestimmung der wesentlichen Grenzflächenparameter einiger Modellsysteme wie Grenzflächendipole, Injektionsbarrieren für den Stromtransport, Spinpolarisation der Ladungsträger direkt an den Grenzflächen und chemische Reaktionen sowie deren Zusammenspiel, und es werden zwei komplementäre Methoden, die Photoelektronenspektroskopie und die Röntgenabsorptionsspektroskopie eingesetzt. So wird eine Grundlage für das physikalische Verständnis solcher Grenzflächen geliefert.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen