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Terahertz Bildgebung jenseits der optischen Au flösungsgrenze

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung seit 2016
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 311011025
 
Das Forschungsvorhaben umgeht die optische Auflösungsgrenze durch die Integration von Terahertz Nahfeld-Sensoren in Silizium Technologien. Damit wird es erstmals moglich sein alle Funktionen der THz Signalerzeugung, Signalubertragung, Signaldetektion, und die Integration von Nahfeld-Sensoren mit mikroskopischer Auflösung in ein monolithisches bildgebendes System zu integrieren - ein Meilenstein in der THz Mikrostrukturmetechnik. Die hohe Integrationsdichte ermoglicht die kompakte Implementierung von Nahfeld-Sensoren in 2-D die simultan zur Objekttopographie auch die dielektrischen Eigenschaften von Mikrostrukturen erfassenkönnen. Dabei basiert das hohe Auflösungsvermögen auf der Ausnutzung extrem kurzreichweitiger Wechselwirkungen (so genannter evanescenter Moden) zwischen Proben und einem magnetisch gekoppelten Nahfeld-Sensor (split ring resonator). Im Unterschied zu herkömmlichen THz bildgebenden Nahfeld-Mikroskopen die durch punkt- und zeilenweises Zusammensetzen von vielen Einzelmesswerten ein Rasterbild erstellen, werden Aufnahme von Videobildern in Echtzeit ermöglicht.
DFG-Verfahren Reinhart Koselleck-Projekte
 
 

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