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Herstellung, Charakterisierung und Integration Organischer Dünnschicht-Transistoren (C01)
Fachliche Zuordnung
Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung
Förderung seit 2017
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 281029004
Ziel dieses Teilprojekts ist die kontinuierliche Verbesserung der Leistungsfähigkeit und Langzeitstabilität organischer Transistoren, insbesondere organischer n-Kanal-Transistoren, da diese von besonderer Bedeutung für die Herstellung komplementärer integrierter Schaltungen auf der Basis organischer Transistoren sind. Zu diesem Zweck werden wir vor allem die in den Teilprojekten A01, A02, A03, A04 und A05 synthetisierten N-Heteropolyzyklen heranziehen. Durch Vergleich der Ergebnisse können wir wichtige Struktur-Eigenschafts-Beziehungen aufdecken. Wir werden jeden neuen Halbleiter umfangreichen Tests zur Ermittlung der optimalen Prozessbedingungen unterziehen. Auf der Basis ausgewählter Halbleiter werden wir integrierte Schaltungen herstellen, um so die Anwendung neuartiger organischer Halbleiter für reale Anwendungen zu demonstrieren.
DFG-Verfahren
Sonderforschungsbereiche
Teilprojekt zu
SFB 1249:
N-Heteropolyzyklen als Funktionsmaterialien
Antragstellende Institution
Ruprecht-Karls-Universität Heidelberg
Teilprojektleiter
Dr. Hagen Klauk