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Herstellung, Charakterisierung und Integration Organischer Dünnschicht-Transistoren (C01)

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung seit 2017
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 281029004
 
Ziel dieses Teilprojekts ist die kontinuierliche Verbesserung der Leistungsfähigkeit und Langzeitstabilität organischer Transistoren, insbesondere organischer n-Kanal-Transistoren, da diese von besonderer Bedeutung für die Herstellung komplementärer integrierter Schaltungen auf der Basis organischer Transistoren sind. Zu diesem Zweck werden wir vor allem die in den Teilprojekten A01, A02, A03, A04 und A05 synthetisierten N-Heteropolyzyklen heranziehen. Durch Vergleich der Ergebnisse können wir wichtige Struktur-Eigenschafts-Beziehungen aufdecken. Wir werden jeden neuen Halbleiter umfangreichen Tests zur Ermittlung der optimalen Prozessbedingungen unterziehen. Auf der Basis ausgewählter Halbleiter werden wir integrierte Schaltungen herstellen, um so die Anwendung neuartiger organischer Halbleiter für reale Anwendungen zu demonstrieren.
DFG-Verfahren Sonderforschungsbereiche
Antragstellende Institution Ruprecht-Karls-Universität Heidelberg
Teilprojektleiter Dr. Hagen Klauk
 
 

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