Detailseite
Projekt Druckansicht

Herstellung, Charakterisierung und Integration Organischer Dünnschicht-Transistoren (C01)

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung seit 2017
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 281029004
 
Ziel dieses Teilprojekts ist die kontinuierliche Entwicklung von Materialien und Verfahren für die Herstellung leistungsfähiger und langzeitstabiler organischer Dünnschicht-Transistoren. Dies beinhaltet u. a. die Evaluierung einer großen Zahl organischer Halbleitermaterialien, die systematische Verbesserung der wichtigsten Leistungskenndaten organischer Transistoren (u. a. Kontaktwiderstand, Grenzfrequenz, Unterschwellanstieg), die Verbesserung der Langzeitstabilität organischer Transistoren und die Integration organischer Transistoren in leistungsfähige analoge und digitale integrierte Schaltungen.
DFG-Verfahren Sonderforschungsbereiche
Antragstellende Institution Ruprecht-Karls-Universität Heidelberg
Teilprojektleiter Dr. Hagen Klauk
 
 

Zusatzinformationen

Textvergrößerung und Kontrastanpassung