Niederspannung-Elektronenstrahllithographiesystem

• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2017
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 350155752

Für die festkörperbasierte Halbleiter-Reinraumtechnologie des Instituts wird ein höchstauflösendes Niederspannung-Elektronenstrahllithographiesystem mit Rasterelektronenmikroskopie-Abbildung, Laser-Interferometer-Tisch und Gas-Injektion-System zur Nanostrukturierung elektronischer Bauelemente beantragt. In diesem Reinraum steht kein derartiges System zu Verfügung, daher füllt das beantragte System eine Lücke in der Ausstattung. Durch die Einrichtung der AG „Neue Materialien" von Prof. Fischer wird zur Herstellung neuer elektronischen Materialien und Nanostrukturen eine Lithographieeinheit benötigt, die einerseits UltraHochauflösung für die Präparation nanoelektronischer Halbleiter- und Metallkontaktstrukturen garantiert und andererseits eine in-situ Gasphasenabscheidung zur Kontaktpräparation von Nanomaterialien ermöglicht. Das im Reinraum bestehende Elektronenmikroskop mit Lithographiezusatz (aus dem Jahr 2002) erfüllt diese Anforderungen nicht und kann nicht um- und nach-gerüstet werden. Das neue Elektronenstrahllithographie-System soll durch die AG „Neue Materialien" betrieben werden und weiteren Arbeitsgruppen am Institut für Physik zur Verfügung gestellt werden.

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Großgeräte: Niederspannung-Elektronenstrahllithographiesystem
• Gerätegruppe: 0910 Geräte für Ionenimplantation und Halbleiterdotierung
• Antragstellende Institution: Humboldt-Universität zu Berlin
• Leiterin: Professorin Dr. Saskia F. Fischer