Detailseite
Projekt Druckansicht

3D-Strukturierung von dünnen Oxid-Mehrfachschichten mit dem Ionenstrahl

Antragstellerinnen / Antragsteller Professorin Dr. Sibylle Gemming; Dr. Shengqiang Zhou
Fachliche Zuordnung Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Theoretische Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 2018 bis 2023
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 405595647
 
Erstellungsjahr 2024

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Ungewöhnliche Materialeigenschaften wie Supraleitung, der Metall-Isolator-Übergang, der Riesenmagnetwiderstand, oder Ladungs- und Orbitalordnung in Oxiden beruhen auf einem komplexen Wechselspiel von Ladungs-, Spin-, Orbital- und Gitter-Freiheitsgraden. Geringfügige strukturelle Veränderungen durch die Variation von Temperatur, Druck oder chemischer Umgebung beeinflussen dieses Gleichgewicht und so die Materialeigenschaften. Die Feinabstimmung dieser Wechselwirkungen hat sich jedoch als schwierig erwiesen. In diesem Zusammenhang hat sich das Defekt-Engineering durch Ionenbestrahlung als eine leistungsfähige Methode erwiesen, um komplexe, sonst schwer zugängliche Phasen von Oxid-Dünnschichten gezielt zu steuern. Durch das Einbringen von Verzerrungen und elektronischer Unordnung ermöglicht dieser Ansatz die kontrollierte Manipulation dieser Materialien. Dieses Projekt vereint die Expertise von drei wichtigen Forschungsgruppen: der Gruppe der National Chiao Tung University (Taiwan) für Dünnschichtepitaxie, der TU Chemnitz für Dichtefunktionaltheorie-Berechnungen und der HZDR-Gruppe für Ionenbestrahlung und Materialcharakterisierung. Wir haben Heliumionenstrahlen auf verschiedene Übergangsmetalloxidfilme angewendet und erfolgreich eine kontrollierbare Abstimmung ihrer strukturellen, elektrischen und magnetischen Eigenschaften erreicht. Diese Abstimmung wurde mit sowohl lateraler als auch Tiefenauflösung, also dreidimensional, realisiert. Zu den wichtigsten Ergebnissen gehören: (1) die Erzeugung von supertetragonalem BiFeO3 sowie die Bildung von in-plane geladenen Antiphasengrenzen und 180°-Domänenwänden in BiFeO3-Filmen durch Heliumimplantation; (2) die Induzierung des topologischen Hall-Effekts in dicken SrRuO3-Schichten mittels tiefengradientem Defekt-Engineering; und (3) die laterale Strukturierung von NiCo2O4-Filmen mit modulierten magnetischen und elektrischen Eigenschaften. Darüber hinaus haben wir den Metall-Isolator-Übergang in La0.7Sr0.3MnO3-δ und SrVO3-Dünnschichten demonstriert. Es ist bemerkenswert, dass die Ionenstrahltechnologie bereits gut für die auf Silizium basierende Chip-Technologie entwickelt wurde und eine industrietaugliche Wiederholbarkeit und Skalierbarkeit bietet. Somit haben wir der wissenschaftlichen Gemeinschaft eine vielseitige Methode zur Abstimmung von Oxidfilmen bereitgestellt, die auf verschiedene Materialien anwendbar ist und bereit für industrielle Anwendungen.

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

 
 

Zusatzinformationen

Textvergrößerung und Kontrastanpassung