Vertikale Transistoren aus transparenten, elektrisch leitfähigen Oxiden auf flexiblen Substraten

• Antragsteller: Professor Dr. Karl Leo
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2019 bis 2021
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 415044933

Ziel dieses Projekts ist die Realisierung neuartiger oxidbasierter vertikaler Transistoren auf flexiblen Substraten. Wir wollen hierzu das Konzept des Permeable-Base-Transistors (PBT) anwenden, das wir bereits erfolgreich für organische Transistoren eingesetzt haben. Ein Hauptziel ist es, geeignete Techniken für die permeable Basiselektrode zu entwickeln, wobei verschiedene Ansätze zur Bildung einer Barriere und verschiedene Abscheidetechniken für die Basiselektrode getestet werden sollen. Wir planen, Skalierungsgesetze für Bauelemente für Ultrahochfrequenz-Anwendungen (UHF, > 1 GHz) abzuleiten. Um ein detailliertes Verständnis der Funktionsprinzipien der Bauelemente zu erhalten, soll der Ladungsträgertransport in vertikalen Schottky-Dioden untersucht und mit Drift-Diffusions-Simulationen verglichen werden. Basierend auf den Skalierungsgesetzen wollen wir das PBT-Layout und das Gerät hinsichtlich der Grenzfrequenz optimieren. Die UHF-Charakterisierung soll für einzelne PBT-Bauelemente und für Oszillatorschaltungen mit mindestens zwei integrierten Transistoren durchgeführt werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Mitverantwortlich: Dr. Hans Kleemann