In-situ Charakterisierung der MOVPE-Wachstumsdynamik und der Diffusionsmechanismen in Nitriden und deren Einfluss auf die optoelektronischen Eigenschaften von InGaN / AlGaN / GaN-Quantenstrukturen

• Antragsteller: Professor Dr. Tilo Baumbach
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie ; Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien
• Förderung: Förderung seit 2019
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 426532685

Die inhomogene Indiumkonzentration ist das größte ungelöste wissenschaftliche Problem, das den technologischen Fortschritt beim Wachstum des InGaAlN-Werkstoffsystems stark behindert. Ziel des Projekts ist es, ein grundlegendes Verständnis des Wachstums und der Zersetzung von InGaN / GaN zu gewinnen, das durch metallorganische Dampfphasenepitaxie (MOVPE) erzeugt wird, wodurch die Wachstumsparameter für die Herstellung von InGaN / AlGaN-Quantenstrukturen für blaue und grüne LEDs und Laserdioden optimiert werden können. Insbesondere wollen wir die mikroskopischen Mechanismen der Indiumdiffusion im AlInGaN-Gitter in Abhängigkeit von äußeren Parametern (insbesondere Temperatur) und inneren Einflüssen wie Gitterstreckungsfeldern und Defekttyp und -konzentrationen zum Zeitpunkt (und der Temperatur) des Wachstums aufklären, die neben piezoelektrischen Feldern für das grundlegende Verständnis des Wachstums wichtig sind. Sie sind auch entscheidende unbekannte Faktoren mit Auswirkungen auf die Technologie von Nitrid-Bauelementen - LEDs, Laser und Transistoren.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Internationaler Bezug: Polen
• Partnerorganisation: Narodowe Centrum Nauki (NCN)
• Mitverantwortlich(e): Dr. Sondes Bauer
• Kooperationspartner: Professor Dr. Michal Leszczynski