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Projekt
HAR/Nano-ICP-Trockenätzanlage
Fachliche Zuordnung
Systemtechnik
Förderung
Förderung in 2019
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 435273093
Die ICP-Trockenätztechnik ist ein grundlegendes, mikrotechnisches Bearbeitungsverfahren für Silizium. Der Ätzprozess ist anisotrop und ermöglicht es, Gräben, Löcher und Vertiefungen mit nahezu beliebig geformter Grundfläche und weitgehend senkrechten Flanken zu erzeugen. Zusammen mit der anisotropen nasschemischen Ätztechnik, bei der sich die Ätzrate an den Kristallebenen orientiert, bietet das ICP-Trockenätzen eine sehr hohe Designvielfalt für mikromechanische Strukturen aus Silizium.Silizium-Bulkmikromechanik ist ein zentrales Thema am IMT, das in nahezu allen Forschungsprojekten untersucht und eingesetzt wird. Allerdings ist die 1995 beschaffte ICP-Trockenätzanlage inzwischen irreparabel beschädigt und komplett ausgefallen. Außerdem sind die Anforderungen bezüglich der minimalen Strukturbreite, des Aspektverhältnisses, einer exakt einstellbaren und gleichmäßigen Ätztiefe und der Orthogonalität des Flankenwinkels deutlich gestiegen. Weiterhin bieten moderne RIE/DRIE-Ätzanlagen eine hohe Selektivität bei der Verwendung von Lackmasken, leistungsfähige ICP-Quellen, eine integrierte Prozesskühlung und ein schnelles Ein- und Ausschleusen der Proben. Senkrechte Strukturflanken und ein möglichst rechtwinkliger Übergang zwischen den Flanken und dem Ätzgrund werden unter anderem durch einen sehr schnellen Gaswechsel begünstigt. Um die laufenden und geplanten Forschungsprojekte erfolgreich und mit dem neuesten Stand der industriellen Technik durchführen zu können, ist es daher unabdingbar, eine moderne, leistungsfähige HAR/Nano-ICP-Trockenätzanlage zu beschaffen, die den gestiegenen Anforderungen entspricht.
DFG-Verfahren
Forschungsgroßgeräte
Großgeräte
HAR/Nano-ICP-Trockenätzanlage
Gerätegruppe
0910 Geräte für Ionenimplantation und Halbleiterdotierung
Antragstellende Institution
Technische Universität Braunschweig
