Sn(II)-Verbindungen als transparente, leitfähige Oxid-Halbleiter vom p-Typ

• Antragsteller: Professor Dr. Marius Grundmann
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung seit 2021
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 459722738

Eine neue Klasse von theoretisch vorhergesagten p-Typ TCOs soll experimentell realisiert werden. Transparente, oxidische p-Typ-Halbleiterdünnschichten sollen aus Zinn(II)-Verbindungen, nämlich Zinn-Phosphaten und Zinn-Germanaten, hergestellt werden. Aufbauend auf unserer erfolgreichen Demonstration von phasenreinen triklinen Sn5P2O10 (bzw. Sn5O2(PO4)2)-Dünnschichten wird die Herausforderung, geeignete Dotierstoffe zu finden an solchen Materialien angenommen. Die Herstellung von Dünnschichten erfolgt durch gepulste Laserabscheidung und die anschließende Analyse umfasst die strukturelle, elektrische und optische Charakterisierung, wobei auch die niedrige Kristallsymmetrie dieser Materialien berücksichtigt wird.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen