Proximity-induzierte Supraleitung in Graphene auf SiC durch Interkalation

• Antragsteller: Dr. Philip Schädlich; Professor Dr. Thomas Seyller
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung seit 2021
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 449119662

Epitaktisches Graphen auf SiC, welches in hoher Qualität auf isolierenden Substraten hergestellt werden kann, ist eine ausgezeichnete Basis für Anwendungen und für grundlagenorientierte Untersuchungen der Eigenschaften von Graphen. Durch die Interkalation von Fremdatomen an die Grenzfläche zwischen SiC Substrat und Graphen werden diese Möglichkeiten um ein Vielfaches erweitert. Insbesondere eröffnet sie die Möglichkeit, die Eigenschaften von Graphen durch Proximity-Kopplung gezielt zu beeinflussen. In diesem Projekt werden wir die Proximity-Kopplung zu korrelierten Zuständen (supraleitende Zustände, Mott-Zustände) untersuchen, die durch verschiedene interkalierte Spezies in ein- und zweischichtigem Graphen verursacht werden. Das Wachstum der Proben und die Interkalation werden mit Hilfe der Niederenergie-Elektronenmikroskopie (LEEM) und verwandten Techniken optimiert, während die elektronische Bandstruktur der interkalierten Systeme mit Hilfe der winkelaufgelösten Photoelektronenspektroskopie (ARPES) untersucht wird.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 5242: Proximity induzierte Korrelationseffekte in niedrigdimensionalen Strukturen
• Großgeräte: Upgrade LEEM Sample Stage
• Gerätegruppe: 5140 Hilfsgeräte und Zubehör für Elektronenmikroskope