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Projekt
Modellierung emergenter Eigenschaften von funktionalisiertem epitaktischen Graphen
Antragstellerin
Professorin Dr. Sibylle Gemming
Fachliche Zuordnung
Theoretische Physik der kondensierten Materie
Förderung
Förderung seit 2021
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 449119662
Das vorliegende Projekt zielt auf eine first-priciples-basierte Untersuchung von verschiedenen Ansätzen, die elektronischen, optischen und Transporteigenschaften von epitaktischem Graphen (EG) durch Proximity-Effekte zu modifizieren, wobei das regelmäßige Sechseckgitter erhalten bleiben soll, mit dem große Flächen von EG auf Siliziumkarbid gebildet werden kann. Der Fokus liegt auf jenen Modifikationen, die während der Keimbildung und des Wachstums von EG auf SiC auftreten und auf den Veränderungen der elektronischen Eigenschaften von EG, die durch Interkalation oder Nähe zu polaren molekularen Schichten induziert werden. Ein besonderes Augenmerk liegt dabei auf Defekten des Substratmaterials SiC und ihren Auswirkungen auf das Wachstum von EG und die weitere Funktionalisierung. Die Untersuchungen im Rahmen des vorliegenden Projekts verwenden vorwiegend die dispersionskorrigierte Dichtefunktionaltheorie (DFT) zur Untersuchung der Änderungen der elektronischen Struktur, Erweiterungen der Methode der Nicht-Gleichgewichts-Green-Funktionen (NEGF) für die Transporteigenschaften und großskalige kinetische Monte-Carlo-Simulationen (kMC) zur Abschätzung von Konfigurationsräumen von Defekten des SiC, interkalierten Schichten und perspektivisch auch Verteilungen von molekularen Dotierschichten.
DFG-Verfahren
Forschungsgruppen
