Magnetische Vielfach-Resonanz-Untersuchungen an substratfreien GaAs- und AlGaAs-Niedertemperatur-MBE-Schichten

• Antragsteller: Professor Dr. Johann-Martin Spaeth
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1998 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5101126

Die von Prof. Döhler und Mitarbeitern (Universität Erlangen) zur Verfügung gestellten "low temperature" (LT) mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) gewachsenen ca. 0,5 µm dicken GaAs und AlGaAs-Schichten, welche durch eine Lift-off Technik substratfrei sind, sollen weiterhin mit optisch detektierter elektronenparamagnetischer Resonanz untersucht werden. Die bisherigen Messungen haben Evidenz für unterschiedliche Arsen-antisite (AsGa)-artige Defekte in as-grown Schichten und nach Tempern gebracht, wobei sich die Unterschiede in dem spektralen Verlauf des magnetischen Zirkulardichroismus der Absorption (MCDA), der Spin-Gitter-Relaxationszeit und dem paramagnetischen und diamagnetischen Anteil des MCDA bemerkbar machen. Der MCDA konnte weit über die Bandkantenenergie hinaus bis tief ins Leitungsband hinein gemessen werden. Die Untersuchungen sollen mit MCDA-detektierter Elektronen-Kern-Doppelresonanz (ENDOR) bei 94 GHz (W-Band) fortgesetzt werden zur weiteren Strukturaufklärung der AsGa-artigen Defekte. W-Band ist erforderlich zur Unterdrückung der pseudo-dipolaren Kopplungseffekte. Weiterhin sollen noch mehrere Temperschritte und Temperzwischenschritte zur genaueren Korrelation mit dem Leitfähigkeitsverhalten nach Tempern (Universität Erlangen) untersucht werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen