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High field ESR and electron/nuclear double resonance on electron systems dominated by exchange, especially on electrons in semiconductor nanostructures

Fachliche Zuordnung Theoretische Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 1998 bis 2004
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5131848
 
Nanostrukturierte Halbleiter (Quantenfilme, Quantendrähte, Quantenpunkte, Heterostrukturen) sind mangels Empfindlichkeit bisher einer Analyse durch direkte magnetische Resonazmethoden praktisch nicht zugänglich. Die Signale von Leitungselektronen (Leitungslöcher) und flachen Donatoren/Akzeptoren unterscheiden sich untereinander nur wenig im g-Faktor (z.B. nur Dg 10-4 bei Si), so daß bei tiefen Frequenzen die Unterschiede innerhalb der Linienbreiten verborgen bleiben. Im Rahmen des beantragten Projektes werden solche Untersuchungen an vorhandenen Quantenfilmsystemen wie Si/Si1-y, Si1-xGex/Si1-yGey weitergeführt. Für die Erweiterung auf Elektron/Kerndoppelresonanz-Verfahren (Overhauser-/Knight-Shift für austauschverschmälerte Elektronensysteme) sind die experimentellen Voraussetzungen zum Teil schon geschaffen worden. Diese sollen ausgebaut und die ESR- und Doppelresonanzmethoden auf Quantenstrukturen aus dem III/V- und II/VI-Halbleiterbereich erweitert werden. Fragestellungen sind: Zuordnung der Spinsignale, quantitative Bestimmung der Suszeptibilitäten (und damit z.B. der Fermienergien), quantitative g-Faktor-Analyse hoher Präzision und Analyse der Spindynamik (Linienbreiten, Relaxationszeiten). Ziel ist, die magnetische Resonanz als weitere ergänzende Methode zur Charakterisierung der elektronischen Eigenschaften von nanostrukturierten Halbleitersystemen zu etablieren.
DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme
 
 

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