Diffusion von Dotierstoffen in kohlenstoffreichem Silizium

• Antragsteller: Dr. Holger Rücker
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1998 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5144914

Durch Dotierung von Silizium mit substitutionellem Kohlenstoff kann die Diffusion von Dotieratomen bei der Herstellung mikroelektronischer Bauelemente gezielt beeinflußt werden. Die Diffusionskoeffizienten von B und P können um mehr als eine Größenordnung reduziert werden, während die diffusion von As und Sb verstärkt wird. Das Ziel des hier vorgeschlagenen Projektes ist es, die Kinetik der Defektbildung in diesem C-reichen Silizium mit C-Konzentrationen weit oberhalb der Löslichkeitsgrenze aufzuklären. Die Bildung von C-Defekten und Ausscheidungen ist einerseits von fundamentalem Interesse für das Verständnis der thermodynamischen Eigenschaften dieses metastabilen Materials und andererseits Grundlage für Anwendungen von C-reichem Si in der Mikroelektronik. Schwerpunkt der hier durchgeführten Untersuchungen ist der Einfluß von C-Defektreaktionen auf die Diffusion von Dotieratomen und auf elektronische Materialparameter.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen