Simulation und experimentelle Untersuchung der Nanokristallitbildung im Silizium- und Germaniumsystem

• Antragsteller: Professor Dr. Peter Hess
• Fachliche Zuordnung: Physikalische Chemie von Molekülen, Flüssigkeiten und Grenzflächen, Biophysikalische Chemie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5153330

Das Wachstum von Germanium-Nanokristalliten auf Silicium kann durch das Auftreten von Spannungen (Stranski-Krastanov) oder aber durch lokalisierte chemische Modifikation der Oberfläche erreicht werden. Im Projekt wird das Wachstum von Ge- und GeSi-Kristalliten in Realzeit mittels spektroskopischer Ellipsometrie verfolgt und mit Hilfe dieser Meßdaten ein detailliertes Cluster-Wachstumsmodell entwickelt, das zum Verständnis und zur Optimierung des Wachstumsprozesses verwendet wird. Von besonderem Interesse ist dabei das chemisch induzierte Wachstum, da hiermit möglicherweise eine bessere Kontrolle der Nukleationsdichte und Kristallitgröße erreicht werden kann. Die kontrollierte Herstellung solcher Nanokristallite mit definierter Größe und hoher Nukleationsdichte verspricht eine Reihe neuer Anwendungen in der Nanotechnologie.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen