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Elektrische Untersuchungen an niedrigdimensionalen Halbleiter- und Metallclusteranordnungen

Antragsteller Dr. Siegmar Roth
Fachliche Zuordnung Physikalische Chemie
Förderung Förderung von 1999 bis 2002
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5164848
 
Die Erwartung neuartiger, elektronischer, optischer und chemischer Eigenschaften, die von den Strukturgrößen der Materialien abhängen, hat ein starkes Interesse an Nanopartikeln von Metallen und Halbleitern hervorgerufen. Die Abmessungen solcher Nanopartikel oder Nanocluster liegen in einem Größenbereich von 1nm bis 10nm und versprechen daher mesoskopische Effekte in technisch interessanten Temperaturbereichen. Beim Versuch, neuartige Bauelemente für elektronischen Transport mit diesen Clustern an vorherbestimmten Stellen auf dem Substrat herzustellen, treten zwei Hauptschwierigkeiten auf: Die erste Schwierigkeit besteht in dem Anbringen makroskopischer Kontakte an die nanoskopischen Cluster und die zweite in der Manipulation der Cluster an den gewünschten Ort sowie der Charakterisierung der räumlichen Anordnung an diesem Ort. Ziel dieses Vorhabens ist es, einen Cluster-Einzelelektronentransistor zu entwickeln, bei dem hochauflösende Transmissions-Elektronenmikroskopie zur Charakterisierung der Clusteranordnungen und der Zuleitungen möglich ist. Für die Herstellung der Kontakte sollen sowohl die herkömmliche Elektronenstrahl-Lithographie aber auch Schattenbedampfungsverfahren sowie insbesondere hybride Systeme verwendet werden. In diesem Fall handelt es sich um einschalige Kohlenstoff-Nanoröhren mit einem Durchmesser von 1,4nm; das ist dem Cluster-Durchmesser vergleichbar. Der Cluster-Transistor soll mit Au-Clustern und mit CdSe-Clustern realisiert werden. Der CdSe-Cluster soll auch im Magnetfeld untersucht werden, da der Bohrsche Exzitonen-Radius, die Abmessung des Clusters und die erzielbare magnetische Länge für die verfügbaren Felder in der gleichen Größenordnung sind.
DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme
 
 

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