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Projekt
Epitaxie von AlN auf Si für akustische Oberflächenwellenbauelemente
Antragsteller
Professor Dr. Wolfgang Richter
Fachliche Zuordnung
Physik der kondensierten Materie
Förderung
Förderung von 1999 bis 2002
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5167724
Im Rahmen des Projektes soll die Heteroepitaxie von Aluminiumnitrid-Schichten auf Si(111)- und Si(100)-Substraten besonders im Hinblick auf den Einsatz der AlN-Schichten für akustische Oberflächenwellenbauelemente untersucht werden. AlN ist wegen seiner piezoelektrischen Eigenschaften, seiner hohen Schallgeschwindigkeit und seiner guten chemischen und mechanischen Stabilität für den Einsatz in Oberflächenwellenbauelementen wie Hochfrequenzfilter oder Sensoren besonders gut geeignet. Die Kombination von AlN-Schichten auf Si-Substraten ist aus technologischen Gründen wegen der Integrationsmöglichkeit der SAW-Bauelemente mit der CMOS-Technologie besonders attraktiv.Die vorgesehenen Untersuchungen sollen einerseits das Verständnis des epitaktischen Wachstums von wurtzitischem AlN auf der Si(111)-Oberfläche und von Zinkblende-AlN auf der Si(100)-Oberfläche unter den Bedingungen der plasmagestützten Molekularstrahlepitaxie verbessern und andererseits Informationen bezüglich der Nutzungsmöglichkeiten solcher Schichten für SAW-Bauelemente liefern, die in die bestehende Si-Technologie integriert werden können. Die Erprobung der Anwendungen soll in Kooperation erfolgen.
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
