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Projekt
Herstellung von Quasi-Substraten durch laterales epitaktisches Überwachsen (ELOG) mit Chlorhydrid-Gasphasenepitaxie
Antragsteller
Professor Dr. Bruno Karl Meyer (†)
Fachliche Zuordnung
Physik der kondensierten Materie
Förderung
Förderung von 1999 bis 2002
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5169784
Ziel des Projektes ist die Herstellung und Präparation von GaN Quasi-Substraten mit der Chlorhydrid-Gasphasenepitaxie. Zwei Ansätze sollen dabei verfolgt werden. Zum einen die Optimierung von HVPE Volumenschichten durch die Verwendung von GaN Niedertemperatur Pufferschichten im HVPE Prozeß, zur Reduzierung der thermisch induzierten Verspannungen zwischen Substrat und Schicht. Zum anderen das laterale epitaktische Überwachsen von mit SiO2 strukturierten, GaN Schichten mittels HVPE, was zusätzlich eine Reduzierung der Versetzungsdichte bewirkt. Der mögliche Einbau von Störstellen aus den SiO2 Masken soll dabei bestimmt werden. Ebenso der Einfluß der reduzierten Versetzungsdichte auf die elektrischen und optischen Eigenschaften. Darüber hinaus sollen die so hergestellten HVPE Volumenschichten und versetzungsreduzierten ELOG Substrate den Schwerpunkts Partnern, die MOCVD oder MBE betreiben, als Substratmaterial zur Verfügung gestellt werden.
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
