Rekombinationsprozesse und lokale elektronische Eigenschaften in (Al,Ga,In)N-Heterostrukturen

• Applicant: Professor Dr. Andreas Hangleiter
• Subject Area: Experimental Condensed Matter Physics
• Term: from 1999 to 2004
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5170274

Die Nitride der Gruppe III-Elemente Al, Ga und Indium sind als direkte Halbleiter mit Bandlücken im sichtbaren bis ultravioletten Spektralbereich als Basis für optoelektronische Bauelemente und Hochtemperatur-Elektronik interessant. In der stabilen Wurtzit-Modifikation tritt nach theoretischen Rechnungen sowohl eine piezoelektrische wie auch eine spontane Polarisation auf. Diese haben einen dominierenden Einfluß auf die optischen Eigenschaften von Heterostrukturen und Quantenfilmen. Die piezo- und pyroelektrischen Effekte soll unterschieden und ihr Einfluß auf die Rekombinationseigenschaften sowie die optische Verstärkung bestimmt werden. Besonderes Augenmerk soll auch die Frage des Mechanismus der nichtstrahlenden Rekombination und ein möglicher Zusammenhang dieses Mechanismus mit den Polarisationsfeldern erhalten.

• DFG Programme: Priority Programmes
• Subproject of: SPP 1032: Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen
• Participating Person: Professor Dr. Ferdinand Scholz