Rekombinationsprozesse und lokale elektronische Eigenschaften in (Al,Ga,In)N-Heterostrukturen

• Antragsteller: Professor Dr. Andreas Hangleiter
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2004
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5170274

Die Nitride der Gruppe III-Elemente Al, Ga und Indium sind als direkte Halbleiter mit Bandlücken im sichtbaren bis ultravioletten Spektralbereich als Basis für optoelektronische Bauelemente und Hochtemperatur-Elektronik interessant. In der stabilen Wurtzit-Modifikation tritt nach theoretischen Rechnungen sowohl eine piezoelektrische wie auch eine spontane Polarisation auf. Diese haben einen dominierenden Einfluß auf die optischen Eigenschaften von Heterostrukturen und Quantenfilmen. Die piezo- und pyroelektrischen Effekte soll unterschieden und ihr Einfluß auf die Rekombinationseigenschaften sowie die optische Verstärkung bestimmt werden. Besonderes Augenmerk soll auch die Frage des Mechanismus der nichtstrahlenden Rekombination und ein möglicher Zusammenhang dieses Mechanismus mit den Polarisationsfeldern erhalten.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1032: Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen
• Beteiligte Person: Professor Dr. Ferdinand Scholz