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Projekt
Untersuchung der strahlenden und nichtstrahlenden Prozesse in Gruppe III-Nitriden als Mittel zur Aufklärung der Gewinn- und Verlustmechanismen
Antragsteller
Professor Dr. Axel Hoffmann
Fachliche Zuordnung
Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Förderung
Förderung von 1999 bis 2004
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5171010
Das Forschungsvorhaben hat zum Ziel, die Mechanismen und Ursachen, die zu Gewinn- und Verlustprozessen in Gruppe III-Nitriden führen, zu untersuchen und aufzuklären. Es wird dabei auf umfangreiche Erfahrungen und Ergebnisse zurückgegriffen, die im bisherigen Verlauf unseres Forschungsprojektes an unterschiedlich hergestellten binären GaN-Heterostrukturen erzielt wurden. Den Schwerpunkt des Projektes sollen quantitative Untersuchungen der für die Gewinn- und Verlustmechanismen verantwortlichen strahlenden und nichtstrahlenden Prozesse in ternären und quaternären GaN-Schichten bilden. Diese determinieren die Lasereigenschaften in den Gruppe III-Nitriden wesentlich, indem sie die maximal erreichbaren Quanteneffizienzen beschränken. Ein weiteres zentrales Thema der Arbeiten wird die Aufklärung der Verstärkungsmechanismen mittels Gainspektroskopie und "pump and probe"-Messungen sein. Diese Messungen werden zeitaufgelöst und wenn möglich ortsaufgelöst durchgeführt, um die Ladungsträgertransfer- und Energierelaxationsprozesse in hochangeregten III-V-Nitrid-Heterostrukturen verstehen zu können. Wichtige Informationen über den Einfluß von Lokalisierungsmechanismen, Grenzflächen und piezoelektrischen Feldern durch lokale Phasenseparation der Mischkristalle auf die optische Verstärkung können aus diesen Untersuchungen gewonnen werden. Der Einfluß der Einbaumechanismen von In bzw. Al auf die optische Güte der Heterostrukturen soll in enger Kooperation mit den Wachstumsgruppen verstanden werden. Die bereits bewährte enge Zusammenarbeit und Rückkopplung mit den Probenherstellern ist dabei von grundlegender Bedeutung.
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
