Randabschluß und Sperreigenschaften des MOS-gesteuerten, bidirektionalen Schalters, MBS

• Antragsteller: Professor Dr. Roland Sittig
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5182328

Die Arbeiten am Projekt "hochsperrende Zweirichtungsventile" im ersten Förderabschnitt des Schwerpunktprogramms haben zur Erfindung einer neuen Bauelementstruktur, dem MOS-gesteuerten bidirektionalen Schalter, MBS, geführt. Dieses Bauelement besteht im wesentlichen und speziell im Randbereich nur aus intrinsischem Silizium. Da es Spannungen beider Polaritäten aufnehmen können muß, kann dafür kein Randabschluß verwendet werden, der spezielle Dotierungen erfordert. Insbesondere kann das bisher entwickelte Verfahren der Variation der lateralen Dotierung, VLD, für den MBS nicht eingesetzt werden. Um eine möglichst rasche Realisierung des MBS vorzubereiten soll mit diesem Projekt ein geeigneter Randabschluß entwickelt werden. Als am besten geeignetes Verfahren sollen dazu kontinuierlich gekrümmte Feldplatten angewendet werden. Ein neues Herstellverfahren, die Grauton-Lithographie, mit dem die notwendigen Profile in Siliziumoxidschichten übertragen werden können, wurde vom Fraunhofer Institut für Siliziumtechnologie, ISIT, entwickelt. In Kooperation mit diesem Institut und der dieses Projekt unterstützenden Firma Siemens sollen die Arbeiten durchgeführt werden. Zusätzlich soll eine weitere Möglichkeit zur Speicherung freier Ladungsträger bezüglich ihrer Anwendbarkeit als Randabschluß ausgelotet werden.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1038: Halbleiterbauelemente hoher Leistung
• Beteiligte Person: Professor Dr. Anton Heuberger