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Dichtefunktionaluntersuchungen zur Defektbildung und Oxidation in/von Siliziumkarbid
Antragsteller
Professor Dr. Thomas Frauenheim
Fachliche Zuordnung
Theoretische Physik der kondensierten Materie
Förderung
Förderung von 1999 bis 2005
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5182358
In Weiterführung unserer Arbeiten zu C- und Si-basierten Materialien für potentielle Elektronikanwendungen (kristallin: Diamant, Silizium; amorph: a-C, a-Si, Siliziumoxide und Suboxide) wenden wir uns mittels effizienter Dichtefunktionalmethoden der Untersuchung von technologisch relevanten Fragestellungen in Siliziumkarbid (SiC) zu. Die Verbesserung des Verständnisses über die Bildung und Eigenschaften von Defektstrukturen (Verunreinigungen, Defektkomplexe und Micropipes) in den unterschiedlichen SiC-Polytypen sowie über Oxidationsprozesse an Oberflächen/Grenzflächen für die Erzeugung von MOS-Hetereostrukturen sollen helfen, die über technologische Prozesse beeinflußbare Strukturbildung zur Herstellung von Bauelementen für die Leistungselektronik besser zu verstehen und zu steuern. ...
DFG-Verfahren
Sachbeihilfen
Beteiligte Person
Professor Dr. Peter Deák