Erzeugung von gestapelten Monolagen aus Halbleiter-Nanoclustern

• Antragsteller: Dr. Bernd Schmidt
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5194978

Halbleiter-Nanocluster in einer dielektrischen Matrix ermöglichen die Speicherung von wenigen Ladungen bis zu einzelnen Elektronen. Auf dieser Eigenschaft beruhen neuartige Konzepte zur Herstellung von Einzelelektronen-Transistoren sowie deren Einsatz in nichtflüchtigen Speicherschaltkreisen. Da die volle (digitale) Information in jedem geladenen Cluster enthalten ist, sollte eine Skalierbarkeit der Speicher bis in den nm-Bereich möglich sein. Zielstellung des beantragten Projektes ist die Abscheidung gestapelter Monolagen halbleitender Nanocluster aus Silizium (oder Germanium) in einer amorphen SiO2-Matrix, die Teil des Gate-Isolators einer Nanocluster-Speicherzelle ist, durch Magnetron-Sputtern. Die Herstellungstechnologie ist so zu gestalten, daß alle Abscheidungsprozesse direkt nacheinander innerhalb eines Vakuumzykluses erfolgen und für Oxydation und Temperung weitgehend Kurzzeit-Verfahren eingesetzt werden. Im Ergebnis sollen Demonstrator-Speicherzellen eine praxisrelevante Bewertung des vorgestellten Verfahrens ermöglichen und Aussagen über dessen Nutzung im Rahmen einer CMOS- oder Bi-CMOS-Technologie liefern.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Beteiligte Person: Professor Dr. Wolfhard Möller