Spontaneous self ordering in InGaAs (P) - fundamentals and device applications

• Applicant: Privatdozent Dr. Peter Kiesel
• Subject Area: Experimental Condensed Matter Physics
• Term: from 1999 to 2008
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5196708

III/V-Mischkristallhalbleiter weisen unter bestimmten Wachstumsbedingungen eine Ordnung innerhalb des Gruppe-III Untergitters auf. Diese Ordnung führt zu einer ausgeprägten Polarisationsanisotropie der optischen Eigenschaften, z.B. des Absorptions- und Emissionsverhaltens. Geordnete Mischkristallhalbleiter stellen somit ideale Ausgangsmaterialien für mikrostrukturierte polarisationssensitive Bauelemente dar. Ziel des Vorhabens ist die Untersuchung und Optimierung geordneten Halbleitermaterials im Hinblick auf Anwendungen in den für die Glasfasertechnik wichtigen Spektralbereichen um l = 1,55 µm und 1,3 µm. Hierzu sollen grundlegende Untersuchungen der Ordnungseffekte ausgehend von gitterangepaßtem InGaAs auf InP mit Zielrichtung einer Optimierung der Polarisationsanisotropie durchgeführt und ausgewählte polarisations-gesteuerte Bauelementefunktionen demonstriert werden. Hierbei ist insbesondere an solche Komponenten gedacht, deren Ausgangssignale unabhängig von der Intensität des einfallenden Lichts sind.

• DFG Programme: Research Grants
• Participating Person: Professor Dr. Gottfried H. Döhler