Untersuchungen der spontanen Selbstordnung von InGaAs auf InP im Hinblick auf Bauelementanwendungen

• Antragsteller: Privatdozent Dr. Peter Kiesel
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2008
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5196708

III/V-Mischkristallhalbleiter weisen unter bestimmten Wachstumsbedingungen eine Ordnung innerhalb des Gruppe-III Untergitters auf. Diese Ordnung führt zu einer ausgeprägten Polarisationsanisotropie der optischen Eigenschaften, z.B. des Absorptions- und Emissionsverhaltens. Geordnete Mischkristallhalbleiter stellen somit ideale Ausgangsmaterialien für mikrostrukturierte polarisationssensitive Bauelemente dar. Ziel des Vorhabens ist die Untersuchung und Optimierung geordneten Halbleitermaterials im Hinblick auf Anwendungen in den für die Glasfasertechnik wichtigen Spektralbereichen um l = 1,55 µm und 1,3 µm. Hierzu sollen grundlegende Untersuchungen der Ordnungseffekte ausgehend von gitterangepaßtem InGaAs auf InP mit Zielrichtung einer Optimierung der Polarisationsanisotropie durchgeführt und ausgewählte polarisations-gesteuerte Bauelementefunktionen demonstriert werden. Hierbei ist insbesondere an solche Komponenten gedacht, deren Ausgangssignale unabhängig von der Intensität des einfallenden Lichts sind.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Beteiligte Person: Professor Dr. Gottfried H. Döhler