Aufklärung der Einbau- und Kompensationsmechanismen von Störstellen in GaN-Halbleiterstrukturen mittels linearer und nichtlinearer optischer Spektroskopie

• Antragsteller: Professor Dr. Axel Hoffmann
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1997 bis 2000
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5197419

Keine Zusammenfassung vorhanden

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1032: Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen
• Beteiligte Person: Professor Dr. Immanuel Broser (†)