Lateraler Starkeffekt in InAs "self-assembled" Quantenpunkten

• Antragsteller: Professor Dr. Gottfried H. Döhler
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5205946

Zur Herstellung von Nanostrukturen, in denen die Bewegung der Ladungsträger in allen drei Raumrichtungen quantisiert ist, hat sich die Abscheidung von "self-assembled quantum dots" (SADs) als besonders erfolgreich erwiesen. Im Rahmen dieses Vorhabens sollen Methoden, die sich bei der Untersuchung ähnlicher Fragestellungen an meinem Lehrstuhl (z.B. parabolische Quantentöpfe) bereits als sehr erfolgreich und informativ erwiesen haben, dazu eingesetzt werden um neue Informationen über die elektronische Struktur von SADs zu gewinnen. Durch Untersuchungen in Wellenleiterkonfiguration können einerseits sehr niedrige Absorptionskoeffizienten und -änderungen nachgewiesen und andererseits wichtige Informationen über die elektronische Struktur aus der Polarisationsabhängigkeit gewonnen werden. Durch Verwendung von lateralen p-i-n-Strukturen soll der Einfluß schichtparalleler elektrischer Felder auf die optischen Übergänge (Absorption und Emission) in SADs untersucht werden. Wegen der verhältnismäßig großen Ausdehnung der SADs in der Schichtebene werden drastische feldinduzierte Änderungen der elektronischen Zustände - und somit auch der Übergangswahrscheinlichkeiten und -energien - erwartet, aus denen wichtige Informationen über die quantisierenden Potentiale extrahiert werden können.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Beteiligte Personen: Dr. Stefan Malzer; Dr. Klaus Schmidt