Mit MOCVD-präparierte Multischichtsysteme im direkten Vergleich mit UHV-PVD-Schichten

• Antragsteller: Professor Dr. Ulrich Heinzmann
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1995 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5462737

Die Erzeugung ultradünner Metall-Nichtmetall Multischichtsysteme mit Schichtdicken im Bereich weniger Atomlagen ist eine Herausforderung, bei der konventionelle Präparationsstrategien an ihre Grenzen stoßen. Diese Schichtsysteme besitzen große technologische Bedeutung im Bereich der Nanoelektronik, Röntgenoptik, etc. durch die Nutzung maßgeschneiderter metallorganischer Verbindungen als Precursor in Verbindung mit einem Reaktor, der mit einem in-situ Analyseverfahren zur Schichtdickencharakterisierung ausgestattet ist, ergeben sich neuartige Möglichkeiten der MOCVD-Abscheidung von Nanometer-Multischichten.An der gemeinsamen MOCVD-Apparatur des Projektes 2 im Chemielabor arbeiten Chemiker mit langjähriger Erfahrung im Bereich der Synthese metallorganischer Verbindungen mit Physikern zusammen, die ihre Erfahrungen aus der Herstellung und Analyse ultradünner PVD-Multischichten in das Projekt einbringen. Dieses Projekt stellt daher eine wichtige Nahtstelle zwischen Chemie und Physik innerhalb der Forschergruppe "Nanometerschichtsysteme" dar.Die Projektstruktur gliedert sich in 3 Unterprojekte:UP I: Precursormoleküle zur Abscheidung der Elemente Silizium, Molybdän und Wolfram, der Oxide von Siliziumsowie MolybdänsilicidUP II: Präparation von Schichten nach dem MOCVD-Verfahren und deren röntgenoptische in-situ CharakterisierungUP III: Analyse der MOCVD-Schichtsysteme mit röntgenoptischen, oberflächenphysikalischen und mikroskopischen ex-situ Verfahren und Vergleich mit entsprechenden UHV-PVDSchichten.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 225: Neue chemische und physikalische Ansätze für Abscheidung, Wachstum und Lateralstrukturierung von Nanometerschichtsystemen
• Beteiligte Person: Professor Dr. Peter Jutzi