Resonant tunneling diodes and transistors in dynamic integrated circuits with high functional density

• Applicant: Professor Dr.-Ing. Karl Goser
• Subject Area: Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
• Term: from 2000 to 2005
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5264224

Für eine auch zukünftig stetig fortschreitende Skalierung von mikroelektronischen kleinen und kompakten Systemen gilt es das Potential verfügbarer Quanteneffekt-Tunnelbauelemente auf schaltungstechnischer Ebene zu erschließen. Zu diesen Bauelementen gehört der Resonant Tunneling Bipolar Transistor (RTBT), der aufgrund seiner besonderen Bauelementcharakteristik einzelnen Schaltungskomponenten eine höhere Funktionalität ermöglicht. Diese höhere Funktionalität gestattet eine beachtliche Reduzierung der Schaltungskomplexität. Ferner wird durch die monolithische Verschmelzung von Logik- und Speichergattern Funktionsblöcke für zukünftige nanoelektronische Schaltungen bzw. Systeme bereitgestellt und auf diese Weise eine schnelle verlustarme Schaltungstechnik angestrebt. Die Leistungsfähigkeit dieser neuartigen monolithischen Schaltungstechnik wird an verschiedenen Demonstrationsschaltungen wie z.B. einem getakteten pseudodynanmischen NAND-Gatter eingehend studiert. Als potentielle Anwendungen werden schnelle signalverarbeitende Schaltungen geringer Komplexität angesehen, die in der nächsten Generation von digitalen Empfängern oder in ATM switsches bzw. buffers zum Einsatz kommen.

• DFG Programme: Research Grants