Resonanztunneldioden und Heterobipolartransistoren in dynamischen Digitalschaltungen hoher Funktionsdichte

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Karl Goser
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2000 bis 2005
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5264224

Für eine auch zukünftig stetig fortschreitende Skalierung von mikroelektronischen kleinen und kompakten Systemen gilt es das Potential verfügbarer Quanteneffekt-Tunnelbauelemente auf schaltungstechnischer Ebene zu erschließen. Zu diesen Bauelementen gehört der Resonant Tunneling Bipolar Transistor (RTBT), der aufgrund seiner besonderen Bauelementcharakteristik einzelnen Schaltungskomponenten eine höhere Funktionalität ermöglicht. Diese höhere Funktionalität gestattet eine beachtliche Reduzierung der Schaltungskomplexität. Ferner wird durch die monolithische Verschmelzung von Logik- und Speichergattern Funktionsblöcke für zukünftige nanoelektronische Schaltungen bzw. Systeme bereitgestellt und auf diese Weise eine schnelle verlustarme Schaltungstechnik angestrebt. Die Leistungsfähigkeit dieser neuartigen monolithischen Schaltungstechnik wird an verschiedenen Demonstrationsschaltungen wie z.B. einem getakteten pseudodynanmischen NAND-Gatter eingehend studiert. Als potentielle Anwendungen werden schnelle signalverarbeitende Schaltungen geringer Komplexität angesehen, die in der nächsten Generation von digitalen Empfängern oder in ATM switsches bzw. buffers zum Einsatz kommen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen