Materialsysteme für Metallisierung und Barrieren

• Antragsteller: Professor Dr. Stan Veprek
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2000 bis 2005
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5467170

Im vorliegenden Teilprojekt sollen neue Materialsysteme für die Metallisierung entwickelt und untersucht werden. Bei den Dielektrika liegt das Ziel in der Erarbeitung einer geeigneten Präparationstechnik für die Darstellung dünner dielektrischer Schichten mit einem niedrigen bzw. nach Bedarf einstellbaren (für die Impedanzanpassung) 'tunable' e. Hierfür sollen substituierte Silsesquioxane Rn(SiO1.5)n mit gezielt gesteuerter Raumfüllung und Verknüpfung der Molekülbaueinheiten mittels spin coating und Polymerisation zu einem stabilen dreidimensionalen Netzwerk verknüpft werden. Als Alternativen werden 'branched Silsesquioxane', nanokristalline Zeolite und nanoporöses Siliciumdioxid untersucht. Die Abscheidung von Siliciden aus organometallischen Precursoren soll durch ein neues Konzept selektiv auf Leiter / Nichtleiter erreicht werden. Für die Abscheidung von Silber wird die organometallic chemical vapor deposition als Alternative zum Sputterprozeß entwickelt. Für die Herstellung ultra-schmaler Dotierschichten soll eine modifizierte Plasmadotierung untersucht und im Erfolgsfall entwickelt werden. Hierzu wird ein dichtes Plasma mit einer niedrigen 'Eigenvorspannung' mit einer hohen Frequenz von 80 MHz erzeugt und die Energie der auf die Si-Scheibe eintreffenden Ionen durch angelegte 13.56 MHz kontrolliert werden.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 395: Ausgewählte Materialien und Bauelemente für die Siliziumhöchstintegration
• Beteiligte Person: Dr. Christoph Eggs