Project Details
Projekt
Esaki tunneling transistor
Applicant
Professor Dr.-Ing. Walter Hansch
Subject Area
Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
Term
from 2000 to 2008
Project identifier
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5467170
Ziel des Teilprojekts ist die Herstellung, Charakterisierung und Optimierung eines neuartigen Bauelementes, des Esaki-Tunneltransistors, dessen Zukunftspotential als möglicher MOSFET Nachfolger in ULSI-Systemen abgeschätzt werden soll. Die vorgeschlagenen Esaki-Tunneltransistoren stellen MOSFET-ähnliche,vertikale Bauelemente dar, deren Funktion auf quantenmechanischen Effekten im Ladungsträgertransport beruht (Band-Band-Tunneln). In ersten Labormustern sind diese Effekte bei Raumtemperatur so ausgeprägt (u.a. Stromsteuerung über 3 Größenordnungen), daß die Charakterisierung des Tunneleffektes in Abhängigkeit von technologischen Parametern, Bauelementstrukturen und elektrischen Verhältnissen mit einfachen Mitteln anhand der elektrischen Kennlinien erfolgen kann. Die physikalischen Ergebnisse können Eingang in Ladungstransportrechnungen für Simulatoren für zukünftige mainstream MOSFETs finden und den Übergang zu MOSFET-Nachfolgern erleichtern. Die elektrischen Leistungsmerkmale werden eine Beurteilung zum Zukunftspotential der Esaki-Tunneltransistoren für ULSI-Systeme erlauben.
DFG Programme
Research Units
