Esaki-Tunneltransistor

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Walter Hansch
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2000 bis 2008
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5467170

Ziel des Teilprojekts ist die Herstellung, Charakterisierung und Optimierung eines neuartigen Bauelementes, des Esaki-Tunneltransistors, dessen Zukunftspotential als möglicher MOSFET Nachfolger in ULSI-Systemen abgeschätzt werden soll. Die vorgeschlagenen Esaki-Tunneltransistoren stellen MOSFET-ähnliche,vertikale Bauelemente dar, deren Funktion auf quantenmechanischen Effekten im Ladungsträgertransport beruht (Band-Band-Tunneln). In ersten Labormustern sind diese Effekte bei Raumtemperatur so ausgeprägt (u.a. Stromsteuerung über 3 Größenordnungen), daß die Charakterisierung des Tunneleffektes in Abhängigkeit von technologischen Parametern, Bauelementstrukturen und elektrischen Verhältnissen mit einfachen Mitteln anhand der elektrischen Kennlinien erfolgen kann. Die physikalischen Ergebnisse können Eingang in Ladungstransportrechnungen für Simulatoren für zukünftige mainstream MOSFETs finden und den Übergang zu MOSFET-Nachfolgern erleichtern. Die elektrischen Leistungsmerkmale werden eine Beurteilung zum Zukunftspotential der Esaki-Tunneltransistoren für ULSI-Systeme erlauben.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 395: Ausgewählte Materialien und Bauelemente für die Siliziumhöchstintegration