Der Tunneltransistor in matrixförmigen Schaltungen und Sensoren

• Antragstellerin: Professorin Dr. Doris Schmitt-Landsiedel
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2000 bis 2007
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5467170

Mit den neuen Bauelementen aus der Forschergruppe, dem vertikalen MOSFET, double-Gate-MOSFET und Esaki-Tunneltransistor, sollen Grundschaltungen für digitale, analoge und Speicherfunktionen in ULSI-Bausteinen entworfen werden. Dazu gehört die Entwicklung der Schaltungssimulation mit diesen Bauelementen und die Untersuchung der Robustheit gegenüber Parameterschwankungen. Für vertikale MOSFETs und Dual Gate-Transistoren müssen neue Anschlußtopologien entwickelt werden. Der Vergleich derparasitären Einflüsse verschiedener Transistor-Konstruktionen auf die Schaltungen wird zur Bauelementeoptimierung, besonders im Kompromiß von kleinen Kapazitäten und niedrigem Anschlußwiderstand, herangezogen. Für den Esaki-Tunneltransistor gibt es noch keine Schaltungstechnik. Die direkte Koppelung von Bauelement- und Schaltungsentwicklung in der Gruppe ermöglicht die frühzeitige Erforschung neuer Schaltungsanordnungen und dieGesamtoptimierung von Bauelement- und Schaltungseigenschaften hinsichtlich Schalteigenschaften, Verlustleistung und Robustheit. Die für hochintegrierte Schaltungen wesentliche Möglichkeit einer Komlementärtechnik mit n- und p-leitenden Transistoren soll von Beginn an berücksichtigt werden.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 395: Ausgewählte Materialien und Bauelemente für die Siliziumhöchstintegration